上次我們說到TFT液晶屏由來，今天我們接著來講下TFT液晶屏發(fā)展歷史，看下我們的TFT顯示屏到底是一個怎么樣的發(fā)展歷程。

TFT液晶屏發(fā)展歷史是從20 世紀 80 年代初開始，日本幾家半導(dǎo)體公司在動態(tài)隨機存儲器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）產(chǎn)業(yè)中積累的半導(dǎo)體工藝技術(shù)應(yīng)用到 TFT屏幕工藝，并結(jié)合 LCD顯示屏技術(shù)成功開發(fā)了非晶硅與多晶硅 TFT-LCD。1982 年日本三洋公司開發(fā)了非晶硅 TFT-LCD，主要用于 3～5 英寸的小型電視。同年精工-愛普生采用準分子激光退火（ELA：Excimer Laser Annealing）方法，制作出多晶硅 TFT顯示屏，并成功開發(fā)了 3 英寸級多晶硅 TFT-LCD 產(chǎn)品。1985 年松本提出用多晶硅TFT制作驅(qū)動 IC 的概念。多晶硅TFT技術(shù)分為高溫多晶硅技術(shù)和低溫多晶硅技術(shù)，兩種技術(shù)的最大區(qū)別是成膜溫度不同。制作高溫多晶硅 TFT 時，成膜溫度在 600℃ 以上，因此使用熔點較高的石英基板，而制作低溫多晶硅TFT時，成膜溫度在 450℃ 以下，可以在玻璃基板上成膜，制作出類似非晶硅 TFT-LCD 的顯示器。

  20 世紀 80 年代中期后 Si 系列的TFT液晶屏發(fā)展主要分為三個方向，即高溫多晶硅、低溫多晶硅和非晶硅。由于石英基板的尺寸較小，因此高溫多晶硅 TFT-LCD 的尺寸受很大限制，大部分在 2～3 英寸，主要應(yīng)用于小型且精度較高的投影儀或投影電視等產(chǎn)品。低溫多晶硅TFT的電子遷移率遠大于非晶硅TFT的電子遷移率，所以當初人們普遍認為低溫多晶硅 TFT-LCD 將完全取代非晶硅 TFT-LCD。但是隨著非晶硅 TFT-LCD 工藝不斷突破技術(shù)瓶頸，在制造工藝、基板尺寸、成本、品質(zhì)及產(chǎn)品合格率等方面始終領(lǐng)先低溫多晶硅 TFT-LCD 時，人們逐漸地意識到非晶硅 TFT-LCD 被取代的可能性非常小。盡管 20 世紀 90 年代后期提出玻璃基板上集成驅(qū)動 IC 的方案，但是由于產(chǎn)品的應(yīng)用領(lǐng)域和未來發(fā)展方向不清晰，低溫多晶硅 TFT 的產(chǎn)業(yè)化推進速度非常緩慢，甚至 20 世紀 90 年代末在低溫多晶硅 TFT-LCD 上投資巨額的一些日本公司，在企業(yè)經(jīng)營方面遇到困難，最終不得不與其他企業(yè)合并。直到 21 世紀初隨著手機、PDA 等各種便攜式電子產(chǎn)品的需求增大，低溫多晶硅技術(shù)才以其優(yōu)良的 TFT 電學(xué)特性為基礎(chǔ)，逐漸顯露出在集成周邊電路、高分辨率/高精細度以及高開口率等方面的優(yōu)勢，促成了低溫多晶硅 TFT-LCD 市場的發(fā)展。最近幾年低溫多晶硅 TFT 技術(shù)比較引人注目的應(yīng)用領(lǐng)域是有源矩陣式有機發(fā)光二極管（Active Matrix Organic Lighting Emitting Diode，AMOLED）。

  盡管非晶硅 TFT 在產(chǎn)業(yè)化過程中也遇到了許多困難，但是非晶硅 TFT 以生產(chǎn)工藝簡單、大尺寸基板上量產(chǎn)可行為特點，近 20 年來為 LCD屏幕產(chǎn)業(yè)不斷地開辟了新的應(yīng)用領(lǐng)域。1986 年非晶硅 TFT 技術(shù)開始應(yīng)用于液晶電視產(chǎn)品，但是直到 1990 年產(chǎn)品只局限在 3～5 英寸的小型電視。1991 年夏普公司正式啟動玻璃尺寸為 400mm×320mm 的 TFT-LCD 生產(chǎn)線，從此拉開了液晶面板向大尺寸發(fā)展的帷幕，在這條生產(chǎn)線上每張玻璃基板可以切割出 4 片 8.4 英寸或 2 片 10.4 英寸的面板。隨著玻璃基板的尺寸越來越大，TFT 液晶面板的種類越來越多樣化，應(yīng)用范圍也從小型電視逐漸擴大到筆記本電腦、臺式計算機等電子產(chǎn)品，如表 1.1.1 所示。另一方面，玻璃基板的大型化也提高了液晶面板的生產(chǎn)效率，降低了生產(chǎn)成本，1998 年，液晶顯示器的實際售價跌破 10 萬日元（約合 7000 元人民幣），從此拉開了液晶顯示器市場普及的大幕。

以上就是我們今天要說的TFT液晶屏發(fā)展歷史，有興趣的朋友可以深入的了解一下。